MOSFET s nízkym výkonom 200 mA, 60 voltov

Tento príspevok vysvetľuje hlavné technické parametre a pinouty malého signálneho nízkoenergetického N-kanálového mosfetu 2N7000G s nízkym výkonom.

Mosfety vs BJT

Keď hovoríme o mosfetoch, bežne si ich spájame s aplikáciami s vysokým prúdom, vysokým napätím a s vysokým výkonom.

Rovnako ako bežné BJT sú však k dispozícii aj malé signálne mohyly, ktoré sa dajú rovnako efektívne využiť ako ich náprotivky BJT.

Mosfety sú populárne pre svoju extrémne vysokú schopnosť dodávať energiu, napriek tomu sú menšie svojimi celkovými rozmermi.

Na rozdiel od BJT by mosfety zvládali obrovské prúdy a napätia bez toho, aby sa zväčšovali a bez zapojenia medzistupňových stupňov alebo vysokoprúdových stupňov budiča.

Ako sa spúšťa Mosfet

Najväčšou výhodou použitia mosfetu je to, že ho možno podľa potreby spustiť na prevádzku danej záťaže bez ohľadu na prúd pohonu brány.

Vyššie uvedená funkcia umožňuje spúšťanie mosfetov priamo z nízkoprúdových zdrojov, ako sú výstupy CMOS alebo TTL, bez potreby vyrovnávacích stupňov, čo je v porovnaní s BJT veľký rozdiel.

Vyššie uvedená vlastnosť sa týka aj malých signálnych mosfetov, ktoré je možné priamo vymeniť za malé signálne BJT, ako napríklad BC547, aby sa dosiahli oveľa efektívnejšie výsledky. Jeden taký malý údajový list mosfetového signálu, špecifikácia je tu diskutovaná.

Jedná sa o N-kanálový 2N7000G mosfet, zvyčajne vhodný pre aplikácie s malým signálom v rozsahu maximálne 200 mA a 60 V.

Odpor v zapnutom stave cez jeho odtokové a zdrojové svorky je zvyčajne okolo 5 ohmov. Hlavné vlastnosti tohto malého signálu s nízkym výkonom MOSFET sú uvedené nižšie:

Hlavné elektrické vlastnosti:

Napätie odtoku k zdroju Vdss = 60 V ss. Napätie od zdroja k zdroju Vgs = +/- 20 V ss., +/- 40 V ss. Špičky neopakujúce sa, nepresahujúce 50 mikrosekúnd. Odtokový prúd Id = 200 mA ss nepretržito, 500 mA impulzne

Celkový stratový výkon Pd pri Tc = 250 C (teplota spoja) = 350 mW Pinouty a podrobnosti balenia nájdete tu: